下半年或出现结构性缺货 存储大板块有望持续涨价

结合当前市场动态和行业分析，2025年下半年存储芯片市场确实存在结构性缺货风险，且部分产品价格有望持续上涨。以下是具体分析： 一、供需失衡驱动结构性缺货1. 成熟制程产能收缩     三星、美光等国际大厂逐步停产DDR4/LPDDR4X等成熟制程产品，将产能转向HBM、DDR5等高附加值领域。例如，美光已停止DDR4生产并转向1-gamma节点生产HBM和LPDDR5，导致成熟制程DRAM供应缺口达15%-20%。这种产能调整直接引发DDR4市场供不应求，7月PC DDR4 8GB模组价格甚至超过同容量DDR5模组，出现罕见的“价格倒挂”。2. AI需求爆发式增长     AI大模型训练和推理对存储性能提出更高要求，驱动HBM、DDR5等高端产品需求激增。例如，AI服务器中HBM因高带宽成为标配，2025年需求预计同比增长117%，DDR5需求增长212%。同时，AI手机（16GB DRAM）、AI PC（32GB内存）等端侧设备升级进一步拉动存储容量需求。3. NAND闪存供应紧张     原厂减产叠加BT载板短缺，NAND闪存供应压力凸显。三星、SK海力士等将部分NAND产能转为DRAM生产，导致NAND晶圆投入量减少10%-20%。此外，AI服务器对企业级SSD（eSSD）需求增长，而BT载板原材料（如Low CTE玻纤布）供应不足，可能引发封装环节瓶颈，预计2025年8月后NAND闪存供需失衡加剧。 二、价格上涨趋势明确1. DRAM价格分化     成熟制程领涨：DDR4和LPDDR4X因供应收缩价格涨幅显著。例如，第三季Consumer DDR4合约价预计季增85%-90%，LPDDR4X涨幅达近十年单季最大（38%-43%）。华强北现货市场DDR4价格一周内上涨30%，部分型号缺货严重。     高端产品稳健：DDR5和HBM虽需求旺盛，但原厂产能逐步释放，价格涨幅相对温和。LPDDR5X第三季合约价预计上涨10%-15%，HBM因技术壁垒高，价格维持高位。2. NAND闪存触底反弹     企业级NAND因AI服务器需求增长，价格率先回升。2025年第二季度3D NAND晶圆价格环比上涨10%-15%，企业级SSD价格涨幅超15%。消费级NAND虽受手机、PC需求疲软拖累，但原厂减产效应逐步显现，预计第三季度Client SSD价格环比上涨3%-8%。 三、供应链风险与市场机遇1. 原材料与封装瓶颈     BT基板和ABF载板供应紧张成为关键制约因素。日本三菱瓦斯化学等厂商因Low CTE玻纤布短缺，BT材料交期延长至16-20周，推高封装成本。国内厂商如兴森科技、深南电路加速ABF载板产能爬坡，但短期内仍依赖进口，2025年国产ABF产能占比预计仅15%。2. 国内厂商差异化竞争     长鑫存储、长江存储等通过技术突破抢占市场份额。长鑫存储2025年DRAM产能预计达273万片，DDR5占比超60%，并计划停产DDR4以聚焦高端市场。长江存储NAND产能预计2026年大幅提升，但2025年仍受国际大厂产能调整影响。3. 替代技术与长期趋势     MRDIMM技术：作为HBM的补充方案，MRDIMM通过整合两个DDR5通道提升带宽，已获英特尔、AMD支持，预计在AI推理和高性能计算领域逐步渗透。     新型存储器：RRAM、MRAM等在AI存内计算中的应用潜力初显，但短期内难以撼动DRAM和NAND的主流地位。 四、风险提示1. 需求不及预期：若全球经济下行导致消费电子、数据中心投资放缓，存储需求可能低于预期。  2. 新产能释放：三星、SK海力士等计划2025年下半年扩大HBM和DDR5产能，可能缓解部分产品供应压力。  3. 地缘政治波动：美国对华半导体出口限制若进一步收紧，可能影响国内厂商扩产进度和供应链稳定性。 结论2025年下半年存储芯片市场将呈现“成熟制程缺货、高端产品紧平衡”的结构性特征，价格上涨趋势明确。建议重点关注HBM、DDR5、企业级NAND等核心赛道，以及国内存储厂商的技术突破与产能释放机会。同时，需警惕原材料短缺、需求波动等风险因素对市场的扰动。